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SNM045R6DNB-8/TR

The SNM045R6DNB is N-Channel enhancement MOS Field Effect Transistor. Uses advanced Split Gate Trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use in DCDC conversion, power switch and charging circuit. Standard Product SNM045R6DNB is in compliance with RoHS.

产品参数
  • Configuration：Single N
  • VDS (V) (Max.)：40
  • VGS(V) (Max.)：±20V
  • VGS(th) (V) (Typ.)：1.3/1.7/2.1
  • Ron(mΩ)@ 10V：4.5/5.6
  • Ron(mΩ)@ 4.5V：6.2/8.1
  • Id(A)：38.4
  • MPQ：5k
  • 封装：PDFN5*6-8L
  • 状态：Active
下载（应用手册请联系我司业务）
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